参数资料
型号: MRFG35002N6AT1
厂商: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分类: 功率晶体管
英文描述: C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封装: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PLD-1.5, CASE 466-03, 4 PIN
文件页数: 11/11页
文件大小: 213K
代理商: MRFG35002N6AT1
MRFG35002N6AT1
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PACKAGE DIMENSIONS
0.115
2.92
0.020
0.51
0.115
2.92
mm
inches
0.095
2.41
0.146
3.71
SOLDER FOOTPRINT
CASE 466-03
ISSUE D
NOTES:
1. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M, 1984.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH
3. RESIN BLEED/FLASH ALLOWABLE IN ZONE V, W,
AND X.
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.255
0.265
6.48
6.73
B
0.225
0.235
5.72
5.97
C
0.065
0.072
1.65
1.83
D
0.130
0.150
3.30
3.81
E
0.021
0.026
0.53
0.66
F
0.026
0.044
0.66
1.12
G
0.050
0.070
1.27
1.78
H
0.045
0.063
1.14
1.60
K
0.273
0.285
6.93
7.24
L
0.245
0.255
6.22
6.48
N
0.230
0.240
5.84
6.10
P
0.000
0.008
0.00
0.20
Q
0.055
0.063
1.40
1.60
R
0.200
0.210
5.08
5.33
S
0.006
0.012
0.15
0.31
U
0.006
0.012
0.15
0.31
ZONE V 0.000
0.021
0.00
0.53
ZONE W 0.000
0.010
0.00
0.25
ZONE X 0.000
0.010
0.00
0.25
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
4. SOURCE
J
0.160
0.180
4.06
4.57
A
B
D
F
L
R
3
4
2
1
K
N
ZONE V
ZONE W
ZONE X
G
S
H
U
_
10 DRAFT
P
C
E
0.35 (0.89) X 45
5
"
YY
Q
VIEW Y-Y
__
4
2
1
3
PLD-1.5
PLASTIC
相关PDF资料
PDF描述
MRFG35002N6T1 C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
MRFG35003MT1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
MRFG35005ANT1 C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35005MT1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35010AR5 C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
相关代理商/技术参数
参数描述
MRFG35002N6R5 功能描述:TRANSISTOR RF 1.5W 6V POWER FET RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35002N6T1 功能描述:TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35002N6T1_08 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35003ANR5 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 3W 12V GAASPLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
MRFG35003ANT1 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 3W 12V GAASPLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: