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参数资料
| 型号： | MRFG35002N6AT1 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PLD-1.5, CASE 466-03, 4 PIN |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 213K |
| 代理商： | MRFG35002N6AT1 |
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35002N6AT1
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Methodology
Class
Human Body Model (per JESD22-A114)
1C (Minimum)
Machine Model (per EIA/JESD22-A115)
A (Minimum)
Charge Device Model (per JESD22-C101)
IV (Minimum)
Table 4. Moisture Sensitivity Level
Test Methodology
Rating
Package Peak Temperature
Unit
Per JESD22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020
3
260
°C
Table 5. Electrical Characteristics (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Saturated Drain Current
(VDS = 3.5 Vdc, VGS = 0 Vdc)
IDSS
—
1.7
—
Adc
Off State Leakage Current
(VGS = -0.4 Vdc, VDS = 0 Vdc)
IGSS
—
< 1.0
100
μAdc
Off State Drain Current
(VDS = 6 Vdc, VGS = -2.5 Vdc)
IDSO
—
600
μAdc
Off State Current
(VDS = 28.5 Vdc, VGS = -2.5 Vdc)
IDSX
—
< 1.0
9
mAdc
Gate-Source Cut-off Voltage
(VDS = 3.5 Vdc, IDS = 8.7 mA)
VGS(th)
-1.2
-0.95
-0.7
Vdc
Quiescent Gate Voltage
(VDS = 6 Vdc, ID = 65 mA)
VGS(Q)
-1.1
-0.85
-0.6
Vdc
Functional Tests (In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD = 6 Vdc, IDQ = 65 mA, Pout = 158 mW Avg., f = 3550 MHz, Single-Carrier
W-CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth Carrier. ACPR measured in 3.84 MHz Channel Bandwidth @ ±5 MHz Offset.
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain
Gps
8.5
10
—
dB
Drain Efficiency
hD
23
26.5
—
%
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
—
-42
-38
dBc
Typical RF Performance (In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD = 6 Vdc, IDQ = 65 mA, f = 3550 MHz
Pout @ 1 dB Compression Point, CW
P1dB
—
1.5
—
W
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