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参数资料
| 型号： | MRFG35002N6AT1 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PLD-1.5, CASE 466-03, 4 PIN |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 213K |
| 代理商： | MRFG35002N6AT1 |
MRFG35002N6AT1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
28
2
14
0
60
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 3. Single-Channel W-CDMA Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
18
14
10
8
6
4
50
40
30
20
10
η
D,
DRAIN
EFFICIENCY
(%)
ηD
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
24
12
16
20
22
26
VDD = 6 Vdc, IDQ = 65 mA, f = 3550 MHz
SingleCarrier WCDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
Gps
28
50
0
5
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 4. Single-Channel W-CDMA Adjacent
Channel Power Ratio and IRL versus Output Power
18
14
20
30
40
10
15
20
25
IRL,
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
ACPR,
ADJACENT
CHANNEL
POWER
RA
TIO
(dBc)
24
10
16
20
22
26
VDD = 6 Vdc, IDQ = 65 mA, f = 3550 MHz
SingleCarrier WCDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
IRL
ACPR
2
14
24
36
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 5. Single-Channel W-CDMA Power Gain
and Drain Efficiency versus Frequency
3450
10
8
6
4
34
30
28
26
η
D,
DRAIN
EFFICIENCY
(%)
ηD
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
12
VDD = 6 Vdc, IDQ = 65 mA, Pout = 158 mW
SingleCarrier WCDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
Gps
32
3500
3550
3600
3650
NOTE: Data is generated from the test circuit shown.
0
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