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参数资料
型号： MRFG35002N6T1
厂商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封装： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 466-03, PLD1.5, 4 PIN
文件页数： 10/12页
文件大小： 188K
代理商： MRFG35002N6T1
MRFG35002N6T1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 6. Class AB Common Source S-Parameters at VDS = 6 Vdc, IDQ = 65 mA
f
S11
S21
S12
S22
f
GHz
|S11|
∠φ
|S21|
∠φ
|S12|
∠φ
|S22|
∠φ
0.50
0.906
-173.61
6.43
84.54
0.0316
1.5
0.713
-174.6
0.55
0.906
-175.37
5.86
82.68
0.0319
0.8
0.714
-175.9
0.60
0.906
-176.93
5.38
80.94
0.0320
-0.6
0.714
-177.3
0.65
0.906
-178.40
4.98
79.21
0.0317
-1.7
0.713
-178.6
0.70
0.908
-179.79
4.65
77.51
0.0320
-2.8
0.713
-179.9
0.75
0.907
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4.34
75.94
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-6.3
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3.46
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-6.7
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173.7
1.00
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174.04
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172.4
1.05
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172.44
3.02
64.84
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-9.2
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169.7
1.15
0.909
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-10.6
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168.2
1.20
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170.67
2.79
61.71
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-11.6
0.711
167.0
1.25
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2.68
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-12.0
0.709
165.7
1.30
0.907
168.81
2.59
58.62
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-13.3
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1.35
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-14.1
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163.5
1.40
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-24.5
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144.2
LIFETIME
BUY
LAST
ORDER
8
DEC
07
LAST
SHIP
8
JUN
08
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PDF描述
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MRFG35003ANR5 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 3W 12V GAASPLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
MRFG35003ANT1 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 3W 12V GAASPLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
MRFG35003M6R5 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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