- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录98043 > MRFG35002N6T1 (FREESCALE SEMICONDUCTOR INC) C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRFG35002N6T1 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 466-03, PLD1.5, 4 PIN |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | MRFG35002N6T1 |
MRFG35002N6T1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
G
T,
TRANSDUCER
GAIN
(dB)
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 3. Transducer Gain and Drain
Efficiency versus Output Power
30
4
14
0
50
VDS = 6 Vdc, IDQ = 75 mA, f = 3550 MHz
SingleCarrier WCDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
12
10
40
8
30
6
20
5
10
15
20
25
GT
ΓS = 0.813é115.4_, ΓL = 0.748é147.8_
30
60
20
0
20
0
IRL
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 4. Single-Carrier W-CDMA ACPR and
Input Return Loss versus Output Power
ACPR,
ADJACENT
CHANNEL
POWER
RA
TIO
(dBc)
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
5
30
40
50
15
6
10
12
18
24
ηD
VDS = 6 Vdc, IDQ = 75 mA, f = 3550 MHz
SingleCarrier WCDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
ΓS = 0.813é115.4_, ΓL = 0.748é147.8_
NOTE: All data is referenced to package lead interface. ΓS and ΓL are the impedances presented to the DUT.
All data is generated from load pull, not from the test circuit shown.
LIFETIME
BUY
LAST
ORDER
8
DEC
07
LAST
SHIP
8
JUN
08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFG35003MT1 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| MRFG35005ANT1 | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| MRFG35005MT1 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| MRFG35010AR5 | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| MRFG35010R1 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFG35002N6T1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
| MRFG35003ANR5 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 3W 12V GAASPLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35003ANT1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 3W 12V GAASPLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35003M6R5 | 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRFG35003M6T1 | 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。