- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录98043 > MRFG35002N6T1 (FREESCALE SEMICONDUCTOR INC) C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRFG35002N6T1 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 466-03, PLD1.5, 4 PIN |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | MRFG35002N6T1 |
MRFG35002N6T1
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PRODUCT DOCUMENTATION
Refer to the following documents to aid your design process.
Application Notes
AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
2
Jan. 2008
Listed replacement part, p. 1
Added Product Documentation and Revision History, p. 11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFG35003MT1 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| MRFG35005ANT1 | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| MRFG35005MT1 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| MRFG35010AR5 | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| MRFG35010R1 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFG35002N6T1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
| MRFG35003ANR5 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 3W 12V GAASPLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35003ANT1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 3W 12V GAASPLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| MRFG35003M6R5 | 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRFG35003M6T1 | 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。