参数资料
型号: MRFG35003NT1
厂商: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封装: ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 466-03, PLD-1.5, 4 PIN
文件页数: 7/10页
文件大小: 129K
代理商: MRFG35003NT1
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35003NT1
Table 6. Class AB Common Source S-Parameters at VDS = 12 Vdc, IDQ = 50 mA
f
S11
S21
S12
S22
f
GHz
|S11|
∠φ
|S21|
∠φ
|S12|
∠φ
|S22|
∠φ
0.50
0.879
-160.58
8.644
88.22
0.038
6.94
0.520
-161.47
0.55
0.879
-163.33
7.924
85.88
0.039
5.42
0.520
-163.29
0.60
0.877
-166.03
7.317
83.57
0.039
3.80
0.520
-165.21
0.65
0.876
-168.54
6.811
81.29
0.039
2.37
0.520
-167.01
0.70
0.877
-170.64
6.380
79.13
0.039
0.94
0.521
-168.58
0.75
0.875
-172.68
5.988
77.06
0.039
-0.41
0.520
-170.13
0.80
0.877
-174.56
5.653
75.00
0.040
-1.67
0.520
-171.60
0.85
0.876
-176.25
5.310
72.83
0.040
-2.81
0.520
-172.89
0.90
0.874
-177.90
5.058
71.00
0.040
-4.01
0.519
-174.37
0.95
0.875
-179.54
4.825
69.08
0.040
-5.15
0.520
-175.84
1.00
0.876
179.00
4.608
67.27
0.040
-6.31
0.520
-177.05
1.05
0.875
177.53
4.411
65.38
0.040
-7.28
0.519
-178.37
1.10
0.874
176.04
4.224
63.51
0.040
-8.43
0.520
-179.67
1.15
0.875
174.55
4.056
61.69
0.040
-9.47
0.521
179.15
1.20
0.874
173.13
3.894
59.88
0.040
-10.47
0.520
177.91
1.25
0.873
171.63
3.743
58.01
0.040
-11.78
0.521
176.52
1.30
0.876
170.20
3.609
56.26
0.040
-12.79
0.522
175.56
1.35
0.871
168.97
3.479
54.57
0.040
-13.72
0.520
174.80
1.40
0.878
167.17
3.355
52.76
0.040
-14.65
0.526
173.34
1.45
0.876
165.98
3.237
51.14
0.040
-15.48
0.526
172.88
1.50
0.874
162.45
3.118
49.25
0.040
-16.80
0.528
174.64
1.55
0.874
161.17
3.024
47.67
0.040
-17.76
0.529
173.65
1.60
0.874
160.09
2.929
46.14
0.040
-18.51
0.530
172.88
1.65
0.876
159.00
2.848
44.54
0.040
-19.27
0.530
172.31
1.70
0.878
157.85
2.767
42.99
0.039
-20.03
0.531
171.29
1.75
0.878
156.84
2.690
41.32
0.039
-20.89
0.533
170.58
1.80
0.878
155.94
2.625
39.82
0.039
-21.53
0.533
170.03
1.85
0.880
154.93
2.557
38.21
0.039
-22.22
0.533
168.95
1.90
0.879
154.05
2.492
36.74
0.039
-23.01
0.536
168.19
1.95
0.879
153.24
2.434
35.28
0.039
-23.74
0.535
167.63
2.00
0.881
152.32
2.379
33.68
0.039
-24.55
0.535
166.68
2.05
0.881
151.56
2.325
32.27
0.040
-25.32
0.538
165.91
2.10
0.880
150.85
2.279
30.90
0.040
-25.97
0.539
165.46
2.15
0.881
149.96
2.236
29.41
0.040
-26.76
0.537
164.56
2.20
0.881
149.27
2.191
27.93
0.040
-27.75
0.539
163.66
2.25
0.880
148.61
2.151
26.53
0.040
-28.56
0.541
163.24
2.30
0.880
147.74
2.121
24.99
0.040
-29.32
0.539
162.46
2.35
0.881
146.91
2.084
23.54
0.040
-29.95
0.539
161.41
2.40
0.879
146.12
2.051
22.12
0.040
-30.72
0.540
160.97
2.45
0.877
145.07
2.023
20.46
0.040
-31.44
0.539
160.26
2.50
0.876
144.07
1.992
18.93
0.040
-32.36
0.539
159.16
2.55
0.876
143.15
1.971
17.38
0.040
-32.95
0.541
158.56
2.60
0.873
142.10
1.948
15.95
0.041
-33.58
0.538
157.90
2.65
0.872
140.88
1.924
14.31
0.041
-34.41
0.538
156.83
2.70
0.872
139.83
1.901
12.69
0.041
-35.22
0.538
156.16
2.75
0.867
138.60
1.882
11.19
0.042
-36.04
0.537
155.70
2.80
0.868
137.26
1.864
9.40
0.042
-37.16
0.535
154.59
相关PDF资料
PDF描述
MRFG35005MT1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35005NT1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35010 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG9801 UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET
MRFG9801R UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET
相关代理商/技术参数
参数描述
MRFG35005ANT1 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 4.5W GAAS PLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
MRFG35005MR5 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 12V 1.5PLD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35005MT1 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35005MT1_06 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35005NR5 功能描述:TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR