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参数资料
| 型号： | MRFG35005MT1 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| 封装： | PLASTIC, CASE 466-02, PLD-1.5, 4 PIN |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | MRFG35005MT1 |
1
MRFG35005MT1
MOTOROLA RF DEVICE DATA
The RF GaAs Line
Gallium Arsenide PHEMT
RF Power Field Effect Transistor
Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies
from 1.8 to 3.6 GHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB
linear base station applications.
Typical W–CDMA Performance: –42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts,
IDQ = 80 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A
@ 0.01% Probability)
Output Power — 450 mWatt
Power Gain — 11 dB
Efficiency — 25%
4.5 Watts P1dB @ 3.55 GHz
Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
High Gain, High Efficiency and High Linearity
In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain–Source Voltage
VDSS
15
Vdc
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
10.5(2)
0.07(2)
Watts
W/
°C
Gate–Source Voltage
VGS
–5
Vdc
RF Input Power
Pin
30
dBm
Storage Temperature Range
Tstg
– 65 to +150
°C
Channel Temperature(1)
Tch
175
°C
Operating Case Temperature Range
TC
– 20 to +85
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
Class AB
RθJC
14.2(2)
°C/W
MOISTURE SENSITIVITY LEVEL
Test Methodology
Rating
Per JESD 22–A113
1
(1) For reliable operation, the operating channel temperature should not exceed 150
°C.
(2) Simulated.
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MRFG35005MT1/D
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
3.5 GHz, 4.5 W, 12 V
POWER FET
GaAs PHEMT
MRFG35005MT1
CASE 466–02, STYLE 1
PLD–1.5
PLASTIC
Motorola, Inc. 2003
REV 0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFG35005NT1 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| MRFG35010 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| MRFG9801 | UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET |
| MRFG9801R | UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET |
| MRW2005 | S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFG35005MT1_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
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| MRFG35005NT1 | 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRFG35010 | 功能描述:TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
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