参数资料
型号: MRFG35005MT1
厂商: MOTOROLA INC
元件分类: 功率晶体管
英文描述: S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封装: PLASTIC, CASE 466-02, PLD-1.5, 4 PIN
文件页数: 2/8页
文件大小: 158K
代理商: MRFG35005MT1
MRFG35005MT1
2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Saturated Drain Current
(VDS = 3.5 Vdc, VGS = 0 Vdc)
IDSS
1.7
Adc
Off State Leakage Current
(VGS = –0.4 Vdc, VDS = 0 Vdc)
IGSS
< 1.0
100
Adc
Off State Drain Current
(VDS = 12 Vdc, VGS = –2.5 Vdc)
IDSO
600
Adc
Off State Current
(VDS = 28.5 Vdc, VGS = –2.5 Vdc)
IDSX
< 1.0
9
mAdc
Gate–Source Cut–off Voltage
(VDS = 3.5 Vdc, IDS = 8.7 mA)
VGS(th)
–1.2
–0.9
–0.7
Vdc
Quiescent Gate Voltage
(VDS = 12 Vdc, ID = 105 mA)
VGS(Q)
–1.1
–0.8
–0.6
Vdc
Power Gain
(VDD = 12 Vdc, IDQ = 80 mA, f = 3.55 GHz)
Gps
10
11
dB
Output Power, 1 dB Compression Point
(VDD = 12 Vdc, IDQ = 80 mA, f = 3.55 GHz)
P1dB
4.5
W
Drain Efficiency
(VDD = 12 Vdc, IDQ = 80 mA, Pout = 450 mW Avg.,
f = 3.55 GHz)
hD
22
25
%
Adjacent Channel Power Ratio
(VDD = 12 Vdc, Pout = 450 mW Avg., IDQ = 80 mA,
f = 3.55 GHz, W–CDMA, 8.5 P/A @ 0.01% Probability,
64 CH, 3.84 MCPS)
ACPR
–42
–39
dBc
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