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参数资料
| 型号： | MRFG35005MT1 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| 封装： | PLASTIC, CASE 466-03, PLD-1.5, 4 PIN |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 127K |
| 代理商： | MRFG35005MT1 |
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35005MT1
Table 4. Electrical Characteristics (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Saturated Drain Current
(VDS = 3.5 Vdc, VGS = 0 Vdc)
IDSS
—
1.7
—
Adc
Off State Leakage Current
(VGS = -0.4 Vdc, VDS = 0 Vdc)
IGSS
—
< 1.0
100
Adc
Off State Drain Current
(VDS = 12 Vdc, VGS = -2.5 Vdc)
IDSO
—
600
Adc
Off State Current
(VDS = 28.5 Vdc, VGS = -2.5 Vdc)
IDSX
—
< 1.0
9
mAdc
Gate-Source Cut-off Voltage
(VDS = 3.5 Vdc, IDS = 8.7 mA)
VGS(th)
-1.2
-0.9
-0.7
Vdc
Quiescent Gate Voltage
(VDS = 12 Vdc, ID = 80 mA)
VGS(Q)
-1.1
-0.8
-0.6
Vdc
Power Gain
(VDD = 12 Vdc, IDQ = 80 mA, f = 3.55 GHz)
Gps
10
11
—
dB
Output Power, 1 dB Compression Point
(VDD = 12 Vdc, IDQ = 80 mA, f = 3.55 GHz)
P1dB
—
4.5
—
W
Drain Efficiency
(VDD = 12 Vdc, IDQ = 80 mA, Pout = 450 mW Avg.,
f = 3.55 GHz)
hD
22
25
—
%
Adjacent Channel Power Ratio
(VDD = 12 Vdc, Pout = 450 mW Avg., IDQ = 80 mA,
f = 3.55 GHz, W-CDMA, 8.5 P/A @ 0.01% Probability,
64 CH, 3.84 MCPS)
ACPR
—
-42
-39
dBc
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PDF描述 |
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参数描述 |
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