参数资料
型号: MRFG35010
厂商: MOTOROLA INC
元件分类: 功率晶体管
英文描述: S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封装: NI-360HF, CASE 360D-02, 2 PIN
文件页数: 11/12页
文件大小: 402K
代理商: MRFG35010
MRFG35010
8
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Table 2. Class AB Common Source S–Parameters at VDS = 12 Vdc, IDQ = 180 mA
f
S11
S21
S12
S22
f
GHz
|S11|
∠φ
|S21|
∠φ
|S12|
∠φ
|S22|
∠φ
0.50
0.936
–175.05
5.292
80.70
0.014
3.73
0.735
–178.66
0.60
0.936
–177.28
4.422
77.20
0.014
3.63
0.735
–179.61
0.70
0.935
–179.21
3.803
74.02
0.015
3.78
0.735
179.80
0.80
0.935
179.21
3.341
70.87
0.014
7.22
0.736
179.20
0.90
0.935
177.77
2.983
67.85
0.014
5.83
0.738
178.58
1.00
0.934
176.46
2.701
64.80
0.015
7.03
0.738
178.09
1.10
0.934
175.26
2.473
62.00
0.015
7.15
0.738
177.54
1.20
0.933
174.05
2.284
59.24
0.014
6.85
0.739
177.01
1.30
0.933
172.86
2.124
56.47
0.015
6.90
0.740
176.42
1.40
0.933
171.71
1.991
53.70
0.015
8.93
0.739
175.92
1.50
0.929
170.06
1.948
50.73
0.016
7.81
0.730
175.22
1.60
0.930
168.89
1.845
47.88
0.016
8.58
0.731
174.51
1.70
0.927
167.73
1.757
44.99
0.016
8.16
0.731
173.88
1.80
0.926
166.37
1.678
42.32
0.016
10.00
0.730
173.09
1.90
0.925
165.33
1.610
39.48
0.017
9.25
0.732
172.45
2.00
0.923
164.05
1.551
36.70
0.018
11.89
0.731
171.71
2.10
0.921
162.82
1.498
33.90
0.018
10.06
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170.85
2.20
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161.49
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10.11
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2.30
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9.05
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2.60
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147.76
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6.33
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3.30
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143.83
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–1.10
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7.09
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–4.43
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5.16
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139.43
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–7.81
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4.74
0.690
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3.60
0.876
136.99
1.281
–11.29
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0.682
156.46
3.70
0.870
134.24
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–14.96
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1.64
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3.80
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–18.72
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–9.06
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–40.01
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5.00
0.622
64.84
1.790
–81.02
0.097
–41.70
0.545
134.20
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
MRFG35010ANR5 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
MRFG35010ANT1 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
MRFG35010AR1 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
MRFG35010AR5 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
MRFG35010MR5 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: