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参数资料
| 型号： | MRFG35010AR5 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, NI-360HF, CASE 360D-02, 2 PIN |
| 文件页数： | 16/20页 |
| 文件大小： | 269K |
| 代理商： | MRFG35010AR5 |
MRFG35010AR1 MRFG35010AR5
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
G
T,
TRANSDUCER
GAIN
(dB)
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 3. Single-Carrier W-CDMA Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
40
2
14
10
0
60
10
8
40
6
30
4
20
15
10
20
25
30
35
GT
40
60
10
15
25
0
IRL
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 4. Single-Carrier W-CDMA ACPR and
Input Return Loss versus Output Power
ACPR,
ADJACENT
CHANNEL
POWER
RA
TIO
(dBc)
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
5
20
30
40
15
20
10
25
30
35
VDS = 12 Vdc, IDQ = 140 mA, f = 3550 MHz
SingleCarrier WCDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
ΓS = 0.850 ∠ 138.7_, ΓL = 0.827 ∠ 157.6_
NOTE: All data is referenced to package lead interface. ΓS and ΓL are the impedances presented to the DUT.
All data is generated from load pull, not from the test circuit shown.
ηD
50
20
VDS = 12 Vdc, IDQ = 140 mA, f = 3550 MHz
SingleCarrier WCDMA
3.84 MHz Channel Bandwidth
ΓS = 0.850 ∠ 138.7_
ΓL = 0.827 ∠ 157.6_
12
50
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