收藏本站
参数资料
型号： MRFG35010AR5
厂商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分类： 功率晶体管
英文描述： C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封装： ROHS COMPLIANT, NI-360HF, CASE 360D-02, 2 PIN
文件页数： 2/20页
文件大小： 269K
代理商： MRFG35010AR5
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35010AR1 MRFG35010AR5
Table 5. Class AB Common Source S-Parameters (VDD = 12 Vdc, IDQ = 1000 mA, TC = 25°C, 50 ohm system)
(continued)
f
S11
S21
S12
S22
f
GHz
|S11|
∠φ
|S21|
∠φ
|S12|
∠φ
|S22|
∠φ
4.70
0.706
80.3
1.683
-59.6
0.1025
-21.9
0.534
135.4
4.75
0.693
76.6
1.706
-62.7
0.1061
-24.5
0.526
134.6
4.80
0.680
72.8
1.729
-66.0
0.1097
-27.2
0.519
133.9
4.85
0.667
68.8
1.752
-69.4
0.1136
-30.0
0.512
133.0
4.90
0.655
64.6
1.775
-72.8
0.1175
-32.8
0.504
132.1
4.95
0.642
60.1
1.797
-76.3
0.1214
-35.8
0.496
131.3
5.00
0.630
55.5
1.819
-79.9
0.1254
-39.0
0.489
130.3
5.05
0.618
50.6
1.839
-83.6
0.1294
-42.2
0.481
129.2
5.10
0.608
45.5
1.859
-87.4
0.1335
-45.5
0.474
128.1
5.15
0.598
40.2
1.878
-91.2
0.1377
-49.1
0.467
126.7
5.20
0.591
34.5
1.896
-95.2
0.1412
-52.7
0.459
125.1
5.25
0.583
28.8
1.910
-99.3
0.1451
-56.2
0.450
123.6
5.30
0.579
22.7
1.924
-103.4
0.1488
-60.1
0.441
121.7
5.35
0.576
16.5
1.937
-107.7
0.1526
-63.9
0.431
119.6
5.40
0.576
10.1
1.947
-112.0
0.1561
-67.9
0.421
117.2
5.45
0.576
3.5
1.952
-116.5
0.1594
-72.0
0.410
114.6
5.50
0.580
-3.2
1.957
-121.2
0.1627
-76.3
0.397
111.4
5.55
0.585
-9.7
1.953
-125.8
0.1651
-80.6
0.383
108.1
5.60
0.592
-16.2
1.943
-130.5
0.1675
-85.0
0.368
104.2
5.65
0.601
-22.7
1.929
-135.3
0.1691
-89.5
0.350
99.8
5.70
0.613
-28.8
1.913
-139.9
0.1707
-93.8
0.331
95.1
5.75
0.627
-34.6
1.900
-144.6
0.1724
-98.2
0.312
89.6
5.80
0.646
-40.5
1.885
-149.5
0.1739
-102.8
0.292
83.2
5.85
0.667
-46.4
1.864
-154.6
0.1749
-107.5
0.272
75.6
5.90
0.688
-52.2
1.834
-159.8
0.1753
-112.4
0.251
66.6
5.95
0.708
-57.7
1.800
-164.9
0.1750
-117.3
0.232
56.0
6.00
0.730
-63.0
1.760
-170.1
0.1740
-122.2
0.215
43.8
6.05
0.751
-68.2
1.716
-175.2
0.1728
-127.1
0.204
29.6
6.10
0.772
-73.1
1.668
179.7
0.1709
-132.1
0.200
14.1
6.15
0.793
-77.7
1.617
174.6
0.1685
-136.9
0.204
-1.8
6.20
0.812
-82.3
1.561
169.6
0.1654
-141.9
0.218
-16.7
6.25
0.831
-86.6
1.504
164.6
0.1620
-146.8
0.240
-30.5
6.30
0.850
-90.8
1.445
159.6
0.1584
-151.5
0.268
-42.5
6.35
0.866
-94.8
1.385
154.7
0.1542
-156.4
0.299
-52.6
6.40
0.881
-98.7
1.323
150.0
0.1498
-161.0
0.335
-61.5
6.45
0.896
-102.3
1.261
145.3
0.1447
-165.4
0.371
-69.3
6.50
0.908
-105.9
1.199
140.7
0.1399
-169.7
0.407
-76.1
6.55
0.920
-109.2
1.138
136.3
0.1351
-173.9
0.444
-82.4
6.60
0.930
-112.4
1.077
132.0
0.1303
-178.1
0.479
-88.0
6.65
0.938
-115.4
1.018
127.8
0.1254
177.8
0.513
-93.1
6.70
0.946
-118.3
0.961
123.8
0.1202
173.9
0.547
-97.9
6.75
0.953
-121.0
0.906
119.8
0.1153
170.0
0.579
-102.3
6.80
0.959
-123.7
0.853
116.0
0.1103
166.4
0.608
-106.4
6.85
0.967
-126.4
0.802
112.2
0.1056
162.8
0.637
-110.2
相关PDF资料
PDF描述
MRFG35010R1 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35010 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35030R5 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MRFG35030R5 S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
MSA1022-CT1 UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
MRFG35010MR5 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MRFG35010MT1 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35010N 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRFG35010NR5 功能描述:TRANSISTOR RF 9W 12V POWER FET RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35010NT1 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*