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参数资料
| 型号： | MS1006 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封装： | 0.380 INCH, PLASTIC, M135, 4 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | MS1006 |
Microsemi
RF Products Division
140 Commerce Drive, Montgomeryville PA 18936, (215) 631-9840, Fax: (215) 631-9855
Page 2
Copyright
2000
MSCXXXX.PDF 2000-11-06
WWW.
M
icr
o
sem
i
.COM
MS1006
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
PRODUCT PREVIEW
R F P R O D UCT S DI VI SI ON
STATIC ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TCASE = 25°C
MS1006
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
BV
CES
I
C = 100 mA
V
BE = 0 V
110
V
BV
CEO
I
C = 200 mA
I
B = 0 mA
55
V
BV
EBO
I
E = 10 mA
I
C = 0 mA
4.0
V
h
FE
V
CE = 6 V
I
C = 1.4 A
19
50
DYMANIC ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TCASE = 25°C
MS1006
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
P
OUT
f = 30 MHz
V
CE = 50 V
75
W
G
P
*
P
OUT = 75 W PEP
V
CE = 50 V
14
dB
IMD *
P
OUT = 75 W PEP
V
CE = 50 V
-30
dBc
η
C
*
P
OUT = 75 W PEP
V
CE = 50 V
37
%
C
OB
f = 1 MHz
V
CB = 50 V
100
PF
Note: *f1 = 30.00 MHz, f2 = 30.01 MHz
EE
LL
EE
CC
TT
RR
IICC
AA
LL
SS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MS1008 | 功能描述:射频双极电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
| MS-100811 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Sealed Sub-Miniature Rocker Switch |
| MS1009 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
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