型号: | MS1006 |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
封装: | 0.380 INCH, PLASTIC, M135, 4 PIN |
文件页数: | 3/4页 |
文件大小: | 85K |
代理商: | MS1006 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MS1007 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MS1007 - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN 150 W 55 V 30 MHz Flange Mount RF Microwave Discrete Transistor - M-174 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
MS1008 | 功能描述:射频双极电源晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 最大工作频率:30 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极连续电流:20 A 最大直流电集电极电流: 功率耗散:250 W 封装 / 箱体:Case 211-11 封装:Tray |
MS-100811 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Sealed Sub-Miniature Rocker Switch |
MS1009 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |