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参数资料
| 型号： | MS860-TP |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 8 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 封装： | DO-201AD, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 128K |
| 代理商： | MS860-TP |
MS820 thru MS8100
Average Forward Rectified Current - Amperesversus
Ambient Temperature -
°C
Figure 2
Forward Derating Curve
40
60
100
120
140
160
0
2
4
6
Single Phase, Half Wave
60Hz Resistive or Inductive Load
Amps
°C
80
8
10
12
Figure 3
Junction Capacitance
.1
.2
1
.4
2
10
20
40
4
100
200
10
20
60
100
200
1000
Junction Capacitance - pFversus
Reverse Voltage - Volts
pF
Volts
600
400
40
400
1000
TJ=25
°C
Figure 1
Typical Forward Characteristics
Instantaneous Forward Current - Amperesversus
Instantaneous Forward Voltage - Volts
Volts
4
6
20
10
Amps
.3
.8
.4
.5
.6
.7
.01
.02
.04
.06
.1
.2
.4
.6
1
2
25
°C
40
60
100
1.0
MS820-MS860
MS80-MS8100
MCC
www.mccsemi.com
Revision: 3
2003/04/30
TM
Micro Commercial Components
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MS82C341 | 256K X 8, CACHE CONTROLLER |
| MS82C340 | IBM PC CHIPSET |
| MSASC150H45AS | 150 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MSASC75W45FVR | 75 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MSASC75W45FV | 75 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MS862C08 | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky Barrier Diode |
| MS865C04 | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky Barrier Diode |
| MS865C08 | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky Barrier Diode |
| MS865C10 | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky Barrier Diode |
| MS865C12 | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky Barrier Diode |
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