- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录53831 > MS860-TP (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS) 8 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MS860-TP |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 8 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 封装： | DO-201AD, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 128K |
| 代理商： | MS860-TP |
MS820 thru MS8100
Figure 4
Typical Reverse Characteristics
Instantaneous Reverse Leakage Current - MicroAmperesversus
Percent Of Rated Peak Reverse Voltage - Volts
Volts
.4
.6
2
1
Amps
0
100
20
40
60
80
.001
.002
.004
.006
.01
.02
.04
.06
.1
.2
25
°C
4
6
10
120
MCC
www.mccsemi.com
1
100
4
0
50
75
100
8
Figure 5
Peak Forward Surge Current
Peak Forward Surge Current - Amperesversus
Number Of Cycles At 60Hz - Cycles
Amps
Cycles
2
6
10 20
60 80
40
150
175
200
Revision: 3
2003/04/30
TM
Micro Commercial Components
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MS82C341 | 256K X 8, CACHE CONTROLLER |
| MS82C340 | IBM PC CHIPSET |
| MSASC150H45AS | 150 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MSASC75W45FVR | 75 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MSASC75W45FV | 75 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MS862C08 | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky Barrier Diode |
| MS865C04 | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky Barrier Diode |
| MS865C08 | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky Barrier Diode |
| MS865C10 | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky Barrier Diode |
| MS865C12 | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky Barrier Diode |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。