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参数资料
| 型号： | MSB92AS1WT1G |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | MSB92AS1WT1G |
MSB92ASWT1G, MSB92AS1WT1G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
300
Vdc
Collector-Base Breakdown Voltage
(IC = 100 mAdc, IE = 0)
V(BR)CBO
300
Vdc
Emitter-Base Breakdown Voltage
(IE = 100 mAdc, IE = 0)
V(BR)EBO
5.0
Vdc
Collector-Base Cutoff Current
(VCB = 300 Vdc, IE = 0)
ICBO
0.25
mA
EmitterBase Cutoff Current
(VEB = 3.0 Vdc, IB = 0)
IEBO
0.1
mA
DC Current Gain (Note 2)
(VCE = 10 Vdc, IC = 1.0 mAdc)
(VCE = 10 Vdc, IC = 10 mAdc)
(VCE = 10 Vdc, IC = 30 mAdc)
hFE1
hFE2
hFE3
120
40
25
200
Collector-Emitter Saturation Voltage (Note 2)
(IC = 20 mAdc, IB = 2.0 mAdc)
VCE(sat)
0.5
Vdc
BaseEmitter Saturation Voltage
(IC = 20 mAdc, IB = 2.0 mAdc)
VBE(sat)
0.9
Vdc
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain Bandwidth Product
(IC = 10 mAdc, VCE = 20 Vdc, f = 20 MHz)
fT
50
MHz
CollectorBase Capacitance
(VCB = 20 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Ccb
6.0
pF
2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, D.C. ≤ 2%.
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