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参数资料
| 型号： | MSB92AS1WT1G |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | MSB92AS1WT1G |
MSB92ASWT1G, MSB92AS1WT1G
http://onsemi.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. DC Current Gain
Figure 2. VCE(sat) Curve
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
200
400
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
0.1
0.2
0.5
0.6
Figure 3. VBE(sat) Curve
Figure 4. VBE(on) Curve
Figure 5. CurrentGain Bandwidth Product
Figure 6. DraintoSource Leakage Current
vs. Voltage
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
IB, BASE CURRENT (mA)
10
1
0.1
1
1000
100
10
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
0.4
1.6
2.0
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
V
CE(sat)
,COLL
EMITT
SA
TURA
TION
VOL
TAGE
(V)
f T
,CURRENT
GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
V
CE
,COLLECT
OR
EMITTER
VOL
TAGE
(V)
100
300
150°C
VCE = 5 V
25°C
IC/IB = 10
150°C
55°C
0.3
0.4
0.7
100
VCE = 20 V
TA = 25°C
10
100
TA = 25°C
IC = 50 mA
25°C
55°C
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.2
0.3
0.4
0.7
0.8
V
BE(
sat)
,BASE
EMITT
SA
TURA
TION
VOL
TAGE
(V)
25°C
IC/IB = 10
150°C
55°C
0.5
0.6
1.0
0.9
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.2
0.3
0.4
0.7
0.8
V
BE(
on)
,BASE
EMITTER
VOL
TAGE
(V)
25°C
150°C
55°C
0.5
0.6
1.0
0.9
1.2
1.1
VCE = 5 V
0.8
1.2
1
IC = 10 mA
1.0 mA
0.1 mA
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