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参数资料
| 型号： | MSD601-ST3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 28K |
| 代理商： | MSD601-ST3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSD601-ST1G | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MSD602-RT3 | 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MSG110 | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| MSG33003 | L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MSG36C42 | 2 CHANNEL, L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MSD602 | 制造商:ETL 制造商全称:E-Tech Electronics LTD 功能描述:NPN General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount |
| MSD602RT1 | 制造商:NA 功能描述: |
| MSD602-RT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MSD602-RT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT SS GP XSTR NPN 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MSD6100 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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