型号: | MSKD120-08 |
厂商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
元件分类: | 整流器 |
英文描述: | 120 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
封装: | CASE D1, 3 PIN |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 295K |
代理商: | MSKD120-08 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MSCD120-08 | 120 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
MSKD120-12 | 120 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
MSAD165-12 | 165 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
MSAD165-16 | 165 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
MSCD165-12 | 165 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MSKD120-12 | 功能描述:DIODE MOD GPP 1200V 120A SD1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管,整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管):30A 电压 - (Vr)(最大):400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
MSKD120-16 | 功能描述:MOD DIODE GPP 1600V 120A CC D1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管,整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管):30A 电压 - (Vr)(最大):400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
MSKD120-18 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - DIODE - Bulk |
MSKD165-08 | 功能描述:DIODE MOD GPP 800V 165A SD2 RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管,整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管):30A 电压 - (Vr)(最大):400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
MSKD165-12 | 功能描述:DIODE MOD GPP 1200V 165A SD2 RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管,整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管):30A 电压 - (Vr)(最大):400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |