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参数资料
| 型号： | MSM5116165B |
| 厂商： | OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
| 英文描述： | 1M×16 Dynamic RAM(1M×16动态RAM) |
| 中文描述： | 100万× 16动态RAM（100万× 16动态内存） |
| 文件页数： | 3/16页 |
| 文件大小： | 254K |
| 代理商： | MSM5116165B |
3/16
Semiconductor
MSM5116165B
BLOCK DIAGRAM
Timing
Generator
Refresh
Control Clock
Column
Address
Buffers
Internal
Address
Counter
Row
Address
Buffers
Row
Deco-
ders
Word
Drivers
Memory
Cells
Sense Amplifiers
Column Decoders
I/O
Controller
I/O
Controller
I/O
Selector
Input
Buffers
Output
Buffers
Output
Buffers
Input
Buffers
On Chip
V
BB
Generator
On Chip
IV
CC
Generator
V
CC
DQ1 - DQ8
DQ9 - DQ16
UCAS
WE
A0 - A7
8
16
8
8
16
8
8
8
8
8
8
12
OE
RAS
LCAS
8
8
4
A8R - A11R
V
SS
FUNCTION TABLE
Function Mode
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
Input Pin
UCAS
LCAS
*
H
L
H
L
L
H
L
L
H
L
L
H
L
L
L
WE
H
H
H
L
L
L
H
OE
L
L
L
H
H
H
H
*
H
*
*
*
*
Lower Byte Read
Upper Byte Read
Word Read
Lower Byte Write
Upper Byte Write
Word Write
—
Refresh
Standby
DQ Pin
DQ1 - DQ8
High-Z
High-Z
D
OUT
High-Z
D
OUT
D
IN
DQ9 - DQ16
High-Z
High-Z
High-Z
D
OUT
D
OUT
Don't Care
D
IN
D
IN
High-Z
Don't Care
D
IN
High-Z
*: "H" or "L"
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