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参数资料
型号： MSP430F2101TRGE
厂商： TEXAS INSTRUMENTS INC
元件分类： 微控制器/微处理器
英文描述： 16-BIT, FLASH, 16 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQCC24
封装： PLASTIC, QFN-24
文件页数： 52/95页
文件大小： 1832K
代理商： MSP430F2101TRGE
MSP430x23x, MSP430x24x(1), MSP430x2410
MIXED SIGNAL MICROCONTROLLER
SLAS547D -- JUNE 2007 -- REVISED APRIL 2010
56
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
electrical characteristics over recommended ranges of supply voltage and operating free-air
temperature (unless otherwise noted) (continued)
USCI (UART mode)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
VCC
MIN
TYP
MAX UNIT
fUSCI
USCI input clock frequency
Internal: SMCLK, ACLK
External: UCLK
Duty cycle = 50% ± 10%
fSYSTEM MHz
fmax,BITCLK
Maximum BITCLK clock frequency
(equals baud rate in MBaud) (see Note 1)
2.2V /3 V
2
MHz
t
UART recei e deglitch time (see Note 2)
2.2 V
50
150
ns
tτ
UART receive deglitch time (see Note 2)
3V
50
100
ns
NOTES: 1. The DCO wake-up time must be considered in LPM3/4 for baudrates above 1 MHz.
2. Pulses on the UART receive input (UCxRX) shorter than the UART receive deglitch time are suppressed.
USCI (SPI master mode) (see Figure 27 and Figure 28)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
VCC
MIN
MAX
UNIT
fUSCI
USCI input clock frequency
SMCLK, ACLK
Duty cycle = 50% ± 10%
fSYSTEM
MHz
t
SOMI input data setup time
2.2 V
110
ns
tSU,MI
SOMI input data setup time
3V
75
ns
t
SOMI input data hold time
2.2 V
ns
tHD,MI
SOMI input data hold time
3V
ns
t
SIMO output data valid time
UCLK edge to SIMO valid C
20 pF
2.2 V
30
ns
tVALID,MO
SIMO output data valid time
UCLK edge to SIMO valid, CL =20pF
3V
20
ns
NOTE: fUCxCLK =
1
2tLO∕HI
with tLO∕HI ≥ max(tVALID,MO(USCI) + tSU,SI(Slave), tSU,MI(USCI) + tVALID,SO(Slave)).
For the slave’s parameters tSU,SI(Slave) and tVALID,SO(Slave), see the SPI parameters of the attached slave.
USCI (SPI slave mode) (see Figure 29 and Figure 30)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
VCC
MIN
TYP
MAX UNIT
tSTE,LEAD
STE lead time
STE low to clock
2.2 V/3 V
50
ns
tSTE,LAG
STE lag time
Last clock to STE high
2.2 V/3 V
10
ns
tSTE,ACC
STE access time
STE low to SOMI data out
2.2 V/3 V
50
ns
tSTE,DIS
STE disable time
STE high to SOMI high impedance
2.2 V/3 V
50
ns
t
SIMO inp t data set p time
2.2 V
20
ns
tSU,SI
SIMO input data setup time
3V
15
ns
t
SIMO inp t data hold time
2.2 V
10
ns
tHD,SI
SIMO input data hold time
3V
10
ns
t
SOMI o tp t data alid time
UCLK edgetoSOMIvalid;
2.2 V
75
110
ns
tVALID,SO
SOMI output data valid time
UCLK edge to SOMI valid;
CL =20pF
3V
50
75
ns
NOTE: fUCxCLK =
1
2tLO∕HI
with tLO∕HI ≥ max(tVALID,MO(Master) + tSU,SI(USCI), tSU,MI(Master) + tVALID,SO(USCI)).
For the master’s parameters tSU,MI(Master) and tVALID,MO(Master) refer to the SPI parameters of the attached master.
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PDF描述
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MSP430F2274MDATEP 16-BIT, FLASH, RISC MICROCONTROLLER, PDSO38
MSP53C691PM 8-BIT, 12.32 MHz, MIXED DSP, PQFP64
MSU2964C16-YYYQ 8-BIT, FLASH, 16 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP44
MSU2964C16-YYYJ 8-BIT, FLASH, 16 MHz, MICROCONTROLLER, PQCC44
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参数描述
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MSP430F2111IDGV 功能描述:16位微控制器 - MCU 16-bit Ult-Lo-Pwr 2kB Flash 128B RAM RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 处理器系列:MSP430FR572x 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:8 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:VQFN-40 安装风格:SMD/SMT
MSP430F2111IDGVR 功能描述:16位微控制器 - MCU 16-bit Ult-Lo-Pwr 2kB Flash 128B RAM RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 处理器系列:MSP430FR572x 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:8 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:VQFN-40 安装风格:SMD/SMT
MSP430F2111IDW 功能描述:16位微控制器 - MCU 16-bit Ult-Lo-Pwr 2kB Flash 128B RAM RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 处理器系列:MSP430FR572x 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:8 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:VQFN-40 安装风格:SMD/SMT
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