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参数资料
型号： MSP430F2101TRGE
厂商： TEXAS INSTRUMENTS INC
元件分类： 微控制器/微处理器
英文描述： 16-BIT, FLASH, 16 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQCC24
封装： PLASTIC, QFN-24
文件页数： 64/95页
文件大小： 1832K
代理商： MSP430F2101TRGE
MSP430x23x, MSP430x24x(1), MSP430x2410
MIXED SIGNAL MICROCONTROLLER
SLAS547D -- JUNE 2007 -- REVISED APRIL 2010
67
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
electrical characteristics over recommended ranges of supply voltage and operating free-air
temperature (unless otherwise noted) (continued)
12-bit ADC, timing parameters
PARAMETER
TEST CONDITIONS
VCC
MIN
TYP
MAX
UNIT
fADC12CLK
For specified performance of ADC12
linearity parameters
2.2 V/3 V
0.45
5
6.3
MHz
fADC12OSC
Internal ADC12
oscillator
ADC12DIV=0, fADC12CLK=fADC12OSC
2.2 V/3 V
3.7
5
6.3
MHz
t
Conversion time
CVREF+ ≥ 5 F, Internal oscillator,
fADC12OSC = 3.7 MHz to 6.3 MHz
2.2 V/3 V
2.06
3.51
s
tCONVERT
Conversion time
External fADC12CLK from ACLK, MCLK, or
SMCLK, ADC12SSEL ≠ 0
13 × ADC12DIV × 1
/fADC12CLK
s
tADC12ON
Turn-on settling
time of the ADC
SeeNote1
100
ns
t
Sampling time
RS = 400 ,RI = 1000 ,CI =30 pF
3V
1220
ns
tSample
Sampling time
RS = 400 , RI = 1000 , CI = 30 pF
τ =[RS +RI] × CI;(see Note 2)
2.2 V
1400
ns
Limits verified by design
NOTES: 1. The condition is that the error in a conversion started after tADC12ON is less than ±0.5 LSB. The reference and input signal are already
settled.
2. Approximately ten Tau (τ) are needed to get an error of less than ±0.5 LSB:
tSample =ln(2n+1) × (RS +RI) × CI+ 800 ns where n = ADC resolution = 12, RS = external source resistance.
12-bit ADC, linearity parameters
PARAMETER
TEST CONDITIONS
VCC
MIN
TYP
MAX
UNIT
E
Integral linearit error
1.4 V ≤ (VeREF+ -- VREF--/VeREF--)min ≤ 1.6 V
2 2 V/3 V
±2
LSB
EI
Integral linearity error
1.6 V < (VeREF+ -- VREF--/VeREF--)min ≤ [VAVCC]
2.2 V/3V
±1.7
LSB
ED
Differential linearity
error
(VeREF+ -- VREF--/VeREF--)min ≤ (VeREF+ -- VREF--/VeREF--),
CVREF+ =10 F (tantalum) and 100 nF (ceramic)
2.2 V/3 V
±1
LSB
EO
Offset error
(VeREF+ -- VREF--/VeREF--)min ≤ (VeREF+ -- VREF--/VeREF--),
Internal impedance of source RS < 100 ,
CVREF+ =10 F (tantalum) and 100 nF (ceramic)
2.2 V/3 V
±2
±4
LSB
EG
Gain error
(VeREF+ -- VREF--/VeREF--)min ≤ (VeREF+ -- VREF--/VeREF--),
CVREF+ =10 F (tantalum) and 100 nF (ceramic)
2.2 V/3 V
±1.1
±2
LSB
ET
Total unadjusted
error
(VeREF+ -- VREF--/VeREF--)min ≤ (VeREF+ -- VREF--/VeREF--),
CVREF+ =10 F (tantalum) and 100 nF (ceramic)
2.2 V/3 V
±2
±5
LSB
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PDF描述
MSP430F2101IRGE 16-BIT, FLASH, 16 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQCC24
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MSP53C691PM 8-BIT, 12.32 MHz, MIXED DSP, PQFP64
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MSU2964C16-YYYJ 8-BIT, FLASH, 16 MHz, MICROCONTROLLER, PQCC44
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参数描述
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MSP430F2101TRGET 功能描述:16位微控制器 - MCU 16B Ultra-Lo-Pwr MCU 1kB FL 128B RAM Comp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 处理器系列:MSP430FR572x 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:8 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:VQFN-40 安装风格:SMD/SMT
MSP430F2111IDGV 功能描述:16位微控制器 - MCU 16-bit Ult-Lo-Pwr 2kB Flash 128B RAM RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 处理器系列:MSP430FR572x 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:8 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:VQFN-40 安装风格:SMD/SMT
MSP430F2111IDGVR 功能描述:16位微控制器 - MCU 16-bit Ult-Lo-Pwr 2kB Flash 128B RAM RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 处理器系列:MSP430FR572x 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:8 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:VQFN-40 安装风格:SMD/SMT
MSP430F2111IDW 功能描述:16位微控制器 - MCU 16-bit Ult-Lo-Pwr 2kB Flash 128B RAM RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 处理器系列:MSP430FR572x 数据总线宽度:16 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:8 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:VQFN-40 安装风格:SMD/SMT
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