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参数资料
| 型号： | MT49H8M32 |
| 厂商： | Micron Technology, Inc. |
| 元件分类： | 热敏电阻 |
| 英文描述： | THERMISTOR PTC 100OHM 120DEG RAD |
| 中文描述： | 低延迟DRAM延迟DRAM |
| 文件页数： | 23/43页 |
| 文件大小： | 652K |
| 代理商： | MT49H8M32 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页当前第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页
23
256: x16, x32 RLDRAM
MT49H8M32_3.p65 – Rev. 3, Pub. 6/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
ADVANCE
256Mb: x16, x32
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, 1.8V V
DD
Q, RLDRAM
GENERAL OVERVIEW AND TIMING DEFINITION
(BL2/WL2)
NOTE:
1. Address A[19:0] and commands CS#, AS#, WE#, REF# are referenced to the rising edge of the clock CK.
2. Input Data DQ is referenced to the rising or falling edge of the clock.
3. DVLD is referenced to the falling edge of DQS.
CK/CK#
DQS[3:0]#
DQS[3:0]
DVLD
A[19:0]
BA[2:0]
DM[1:0]
WE#
CS#, AS#,
REF#
DQ
1
2
3
4
5
6
7
8
9
tCKH
tCS
tCH
tCKL
tCK
tAS
tAH
tCKDQS
tQSVLD
tQSVLD
tQSQH Z
tQSQ
tDH
tDS
Q0a
Q0b
Q1a
Q1b
D0a
D0b
D1a
D1b
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT49H8M32FM | REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| MT4C1M16E5DJ-6 | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5DJ-6S | EDO DRAM |
| MT4LC1M16E5 | EDO DRAM |
| MT4C4256 | 256K x 4 DRAM Standard Or Low Power, Extended Refresh(标准或低功率，扩展刷新，256K x 4动态RAM) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT49H8M32BM-33 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:8MX32 RLDRAM PLASTIC PBF FBGA 1.8V - Trays |
| MT49H8M32FM | 制造商:MICRON 制造商全称:Micron Technology 功能描述:REDUCED LATENCY DRAM RLDRAM |
| MT49H8M32FM-33 ES | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144PIN UBGA - Trays |
| MT49H8M32FM-33 TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:8MX32 RLDRAM PLASTIC FBGA 1.8V COMMON I/O 8 BANKS 1.8V I/O - Tape and Reel |
| MT49H8M32FM-4 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 256MBIT 1.8V 144PIN UBGA - Trays |
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