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参数资料
| 型号： | MTB23P06 |
| 厂商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | TMOS POWER FET 23 AMPERES 60 VOLTS |
| 中文描述： | TMOS是功率FET 23安培60伏特 |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 280K |
| 代理商： | MTB23P06 |
3
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
R
R
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
32
28
24
20
16
12
8
4
0
10
8
6
4
2
0
VDS, DRAIN–TO–SOURCE CHARACTERISTICS (VOLTS)
I
Figure 1. On–Region Characteristics
10 V
TJ = 25
°
C
VGS = 5 V
8 V
7 V
6 V
32
28
24
20
16
12
8
4
0
I
10
8
6
4
2
0
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
TJ = 150
°
C
–55
°
C
25
°
C
TJ = 150
°
C
–55
°
C
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
00
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On–Resistance versus Drain Current
and Temperature
4
8
12
16
20
24
28
32
2
1.5
1
0.5
0
–50
200
175
150
125
100
75
50
25
0
–25
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
D
R
,
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
VGS = 10 V
ID = 10 A
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
0.18
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
48
42
36
30
24
18
12
6
0
VGS = 10 V
15 V
TJ = 25
°
C
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10000
1000
100
10
TJ = 125
°
C
100
°
C
25
°
C
VGS = 0 V
20
40
200
400
2000
4000
VDS
≥
10 V
VGS = 10 V
25
°
C
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
9 V
Figure 6. Drain–To–Source Leakage Current
versus Voltage
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PDF描述 |
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