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参数资料
| 型号： | MTB50P03HDLG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 产品目录绘图： | MOSFET D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 25A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | MTB50P03HDLG-ND MTB50P03HDLGOS |
MTB50P03HDL, MVB50P03HDLT4G
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
100
80
T J = 25 ° C
V GS = 10 V
8V
6V
5V
100
80
V DS ≥ 5 V
T J = - 55 ° C
25 ° C
100 ° C
60
4.5 V
4V
60
3.5 V
40
20
3V
2.5 V
40
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
1.5
1.9
2.3
2.7
3.1
3.5
3.9
4.3
0.029
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.022
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.027
V GS = 5 V
0.021
T J = 25 ° C
V GS = 5 V
0.025
0.023
0.021
0.019
T J = 100 ° C
25 ° C
0.020
0.019
0.018
0.017
0.017
- 55 ° C
0.016
10 V
0.015
0
20
40
60
80
100
0.015
0
20
40
60
80
100
1.35
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
V GS = 5 V
1000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
V GS = 0 V
1.25
I D = 25 A
T J = 125 ° C
1.15
100
1.05
0.95
0.85
10
100 ° C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage
Current versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ASA-40.970MHZ-L-T3 | OSC 40.970 MHZ 3.3V SMD |
| ASA-40.950MHZ-L-T3 | OSC 40.950 MHZ 3.3V SMD |
| MMSF7P03HDR2 | MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC |
| ASA-38.000MHZ-L-T3 | OSC 38.000 MHZ 3.3V SMD |
| FXO-HC536R-26.666 | OSC 26.666 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTB50P03HDLT4 | 功能描述:MOSFET 30V 50A Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTB50P03HDLT4G | 功能描述:MOSFET PFET D2PAK 30V 50A 25mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTB50SA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Full-Size (7.3mm or 4.7mm height) |
| MTB50SAM | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Full-Size (7.3mm or 4.7mm height) |
| MTB50SAV | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Full-Size (7.3mm or 4.7mm height) |
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