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参数资料
| 型号： | MTB50P03HDLG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 产品目录绘图： | MOSFET D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 25A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | MTB50P03HDLG-ND MTB50P03HDLGOS |
MTB50P03HDL, MVB50P03HDLT4G
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P ( pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) - T C = P (pk) R q JC (t)
0.01
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
t, TIME (s)
Figure 14. Thermal Response
di/dt
3
2.5
2.0
R q JA = 50 ° C/W
Board material = 0.065 mil FR ? 4
Mounted on the minimum recommended footprint
Collector/Drain Pad Size ≈ 450 mils x 350 mils
I S
t a
t rr
t b
1.5
1
TIME
0.5
t p
0.25 I S
I S
0
25
50
75 100
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
125
150
Figure 15. Diode Reverse Recovery Waveform
ORDERING INFORMATION
Figure 16. D 2 PAK Power Derating Curve
Device
MTB50P03HDLG
MTB50P03HDLT4G
MVB50P03HDLT4G*
Package
D 2 PAK
(Pb ? Free)
D 2 PAK
(Pb ? Free)
D 2 PAK
(Pb ? Free)
Shipping ?
50 Units / Rail
800 / Tape & Reel
800 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
*MVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC ? Q101 Qualified and PPAP
Capable.
http://onsemi.com
7
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PDF描述 |
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参数描述 |
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