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参数资料
| 型号： | MTB75N05HD |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 75 A, 50 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | CASE 418B-03, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 240K |
| 代理商： | MTB75N05HD |
MTB75N05HD
http://onsemi.com
7
0
0.5
1
1.5
2.0
2.5
3
25
50
75
100
125
150
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
D
,POWER
DISSIP
AT
ION
(W
ATTS)
Figure 15. D2PAK Power Derating Curve
RθJA = 50°C/W
Board material = 0.065 mil FR4
Mounted on the minimum recommended footprint
Collector/Drain Pad Size ≈ 450 mils x 350 mils
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTB75N05HDT4 | 75 A, 50 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTB8N50ET4 | 8 A, 500 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTB8N50E | 8 A, 500 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTB8N50ET4 | 8 A, 500 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTB9N25ET4 | 9 A, 250 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTB75N05HDT4 | 功能描述:MOSFET N-CH 50V 75A D2PAK-3 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| MTB75N06 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 75 AMPERES 60 VOLTS |
| MTB75N06HD | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail |
| MTB7671 | 制造商:Megger 功能描述:METER TEST BOX |
| MTB-7PL80 | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:MTB-7PL80 / 095262-0006 / MICRO |
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