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参数资料
| 型号： | MTD10N10ELT4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 01/Jul/2005 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 220 毫欧 @ 5A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1040pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MTD10N10ELT4OSCT |
MTD10N10EL
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
20
T J = 25 ° C
V GS = 10 V
7V
5V
20
V DS ≥ 5 V
15
4.5 V
15
?55 ° C
10
4V
3.5 V
10
25 ° C
T J = 100 ° C
5
3V
2V
5
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2 3 4
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.35
V GS = 10 V
0.25
T J = 25 ° C
100 ° C
0.25
0.2
V GS = 5 V
T J = 25 ° C
10 V
0.15
?55 ° C
0.15
0.05
0
5
10
15
20
0.1
0
5
10 15
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On?Resistance versus Drain Current
and Temperature
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
2
V GS = 5 V
I D = 5 A
100
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
1.5
1
0.5
10
100 ° C
0
? 50
? 25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
125
150
1
0
20 40 60 80
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
1
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
Figure 6. Drain?To?Source Leakage
Current versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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