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参数资料
| 型号： | MTD3010N |
| 厂商： | Marktech Optoelectronics |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTO DIODE 900NM DOME CLR TO-18 |
| 标准包装： | 4 |
| 波长： | 900nm |
| 颜色 - 增强型： | 红外（NIR）/红 |
| 光谱范围： | 400nm ~ 1100nm |
| nm 下响应率： | 0.18 A/W @ 450nm |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 暗（标准）： | 10nA |
| 视角： | 16° |
| 工作温度： | -30°C ~ 100°C |
| 封装/外壳： | TO-18-2 金属罐 |
| 其它名称： | 1125-1004 MTD3010N-DIG |
Photo Diode
Peak Sensitivity Wavelength: 900nm
The MTD3010N is a photo diode in a TO-18 metal can domed package. It is well suited for high reliability
and high speed applications.
Product No:
MTD3010N
FEATURES
> Linearity of Ee vs IL
> Low Dark Current / Metal Can Package
> Narrow Angular Response
> High Reliability in Demanding Environments
APPLICATIONS
> Optical Switches
> Edge Sensing
> Fiber Optical Communications
> Smoke Detectors
Absolute Maximum Ratings (Ta=25oC)
ITEMS
Reverse Voltage
Power Dissipation
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Junction Temperature
Lead Soldering Temperature*1
SYMBOL
VR
PD
Topr
Tstg
Tj
Tls
RATINGS
30
100
-30 ~ +100
-40 ~ +125
125
260
UNIT
V
mW
oC
oC
oC
oC
*1: Time 5 Sec max, Position: Up to 3mm from the body.
Electrical & Optical Characteristics (Ta = 25oC)
Ee=5mW/cm *1
Ee=5mW/cm *1
ITEMS
Open Circuit Voltage
Light Current
Dark Current
Curve Factor
Spectral Sensitivity
Peak Sensitivity Wavelength
Responsivity
Responsivity
Angular Response
Junction Capacitance
SYMBOL
Voc
IL
ID
CF
λ
λp
Rt
Rt
?
Cj
CONDITIONS
2
*1, *2
VR=10V
2
--
--
VR=0V, λ=450nm
VR=0V, λ=900nm
--
at 1MHz, V=0V
MIN
0.35
--
--
0.55
--
--
--
--
--
--
TYP
--
100
--
--
400~1100
900
0.18
0.58
±8
60
MAX
--
--
10
--
--
--
--
--
--
100
UNIT
V
μA
nA
--
nm
nm
A/W
A/W
deg
pF
*1: Color Temperature=2870 O K Stardard Tungsten Lamp, *2: VR=10V, Ee=5mW/cm 2 .
2011-07-20
Global Headquarters, 3 Northway Lane North, Latham, NY 12110, USA
www.marktechopto.com
1
TOLL FREE:
1-800-984-5337 ?
PHONE:
518-956-2980 ?
FAX:
518-785-4725 ?
EMAIL:
info@marktechopto.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTD3010PM | PHOTO DIODE 900NM DOME CLR TO-18 |
| MTD3055VL | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK |
| MTD3055V | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK |
| MTD5010N | PHOTO DIODE 850NM DOME CLR TO-18 |
| MTD5010W | PHOTO DIODE 850NM FLAT CLR TO-18 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTD3010N-DIG | 制造商:Marktech Optoelectronics 功能描述:PHOTO DIODE 900NM DOME CLR TO-18 |
| MTD3010PM | 功能描述:PHOTO DIODE 900NM DOME CLR TO-18 RoHS:是 类别:传感器，转换器 >> 光学 - 光电检测器 - 光电二极管 系列:- 标准包装:1 系列:- 波长:850nm 颜色 - 增强型:- 光谱范围:400nm ~ 1100nm 二极管类型:引脚 nm 下响应率:0.62 A/W @ 850nm 响应时间:5ns 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 暗（标准）:1nA 有效面积:1mm² 视角:150° 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:径向，5mm 直径（T 1 3/4） 其它名称:475-2649-6 |
| MTD3010PM_11 | 制造商:MARKTECH 制造商全称:Marktech Corporate 功能描述:Peak Sensitivity Wavelength: 900nm |
| MTD3010PM_2 | 制造商:MARKTECH 制造商全称:Marktech Corporate 功能描述:Photo Diode |
| MTD3010PM-DIG | 制造商:Marktech Optoelectronics 功能描述:PHOTO DIODE 900NM DOME CLR TO-18 |
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