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参数资料
| 型号： | MTD3055V |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MTD3055VDKR |
August 1999
MTD3055V*
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
Features
This N-Channel MOSFET has been designed specifically
to improve the overall efficiency of DC/DC converters
using either synchronous or conventional switching
PWM controllers.
These MOSFETs feature faster switching and lower
gate charge than other MOSFETs with comparable
R DS(ON) specifications.
The result is a MOSFET that is easy and safer to drive
(even at very high frequencies), and DC/DC power
supply designs with higher overall efficiency.
'
*
6
72
$EVROXWH 0D[LPXP 5DWLQJV
?
?
?
?
12 A, 60 V. R DS(ON) = 0.15 ? @ V GS = 10 V
Low gate charge.
Fast switching speed.
High performance technology for low R DS(ON) .
6\PERO
3DUDPHWHU
5DWLQJV
8QLWV
±
°
7KHUPDO &KDUDFWHULVWLFV
θ
θ
3DFNDJH 0DUNLQ J DQG 2UGHULQJ ,QIRUPDWLRQ
°
°
? 1999 Fairchild Semiconductor Corporation
MTD3055V Rev. A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTD5010N | PHOTO DIODE 850NM DOME CLR TO-18 |
| MTD5010W | PHOTO DIODE 850NM FLAT CLR TO-18 |
| MTD5052N | PHOTO DIODE 525NM B/G CLR TO-18 |
| MTD5052W | PHOTO DIODE 525NM FLAT CLR TO-18 |
| MTD5P06VT4 | MOSFET P-CH 60V 5A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTD3055V | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| MTD3055V1 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail |
| MTD3055VL | 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTD3055VL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| MTD3055VL1 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail |
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