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参数资料
| 型号： | MTD3055V |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MTD3055VDKR |
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Notes:
1. R θ JA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the drain tab.
R θ JC is guaranteed by design while R θ CA is determined by the user's board design.
a) R θ JA = 38oC/W when mounted on a
1 in2 pad of 2oz copper.
b) R θ JA = 96oC/W when mounted on a
minimuim pad.
Scale 1 : 1 on letter size paper
2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 μ s, Duty Cycle ≤ 2.0%
MTD3055V Rev. A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTD5010N | PHOTO DIODE 850NM DOME CLR TO-18 |
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| MTD5052W | PHOTO DIODE 525NM FLAT CLR TO-18 |
| MTD5P06VT4 | MOSFET P-CH 60V 5A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTD3055V | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| MTD3055V1 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail |
| MTD3055VL | 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTD3055VL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| MTD3055VL1 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail |
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