型号: | MTD5P06V1 |
厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 5 A, 60 V, 0.45 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封装: | CASE 369D-01, DPAK-3 |
文件页数: | 6/8页 |
文件大小: | 150K |
代理商: | MTD5P06V1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MTD6N08 | 6 A, 80 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
MTD6N08-1 | 6 A, 80 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
MTD6N151 | 6 A, 150 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
MTD6N15T4 | 6 A, 150 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
MTD6N20E1 | 6 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MTD5P06VT4 | 功能描述:MOSFET 60V 5A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
MTD5P06VT4G | 功能描述:MOSFET PFET DPAK 60V 5A 450mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
MTD5P06VT4G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
MTD5P06VT4GV | 功能描述:MOSFET Single P-Ch 60V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
MTD6000PT | 制造商:MARKTECH 制造商全称:Marktech Corporate 功能描述:Photo Transistor |