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参数资料
| 型号： | MTE53N50E |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | TMOS POWER FET 53 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 0.080 OHM |
| 中文描述： | 53 A, 500 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 167K |
| 代理商： | MTE53N50E |
3
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
R
(
R
0
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On–Region Characteristics
ID
ID
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On–Resistance versus Drain Current
and Temperature
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain–To–Source Leakage Current
versus Voltage
TJ = 25
°
C
VGS = 10 V
VGS = 10 V
ID = 26.5 A
7 V
6 V
–50
0
50
100
150
120
80
40
20
0
9
7
6
4
2
120
80
60
0
6
5
2
100
40
60
40
20
0
80
120
0
100
300
200
400
500
5 V
4 V
125
1
3
5
8 V
20
3
4
VDS
≥
10 V
100
°
C
25
°
C
TJ = –55
°
C
0.16
0.12
0.08
0.04
0
0
40
60
80
100
120
TJ = 100
°
C
25
°
C
–55
°
C
0.085
0.08
0.075
0.07
0.065
0.06
VGS = 10 V
TJ = 25
°
C
VGS = 10 V
15 V
R
–25
25
75
2.5
2
1.5
1
0.5
0
ID
100000
10000
1000
100
10
1
VGS = 0 V
TJ = 125
°
C
100
°
C
25
°
C
100
60
8
20
100
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