型号: | MTM86628 |
厂商: | PANASONIC CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 1000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
封装: | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, WSSMINI6-F1, 6 PIN |
文件页数: | 4/5页 |
文件大小: | 508K |
代理商: | MTM86628 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MTP10N10E | 10 A, 100 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
MTP1302 | 42 A, 30 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
MTP1N50 | 1 A, 500 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
MTP1N45 | 1 A, 450 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
MTP1N55 | 1 A, 550 V, 12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MTM867270LBF | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.2A WSSMINI6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
MTM8N35 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS |
MTM8N40 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS |
MTM8N60 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS |
MTM8P08 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |