- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录96094 > MTMF8231 (PANASONIC CORP) 18000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MTMF8231 |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 18000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, THIN, SO8-F1-B, 8 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 406K |
| 代理商： | MTMF8231 |
MTMF8231
2
SJF00074BED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Measurement circuit
VCC = 15 V
PW = 10 s
Duty Cycle ≤ 1%
ID = 5.0 A
RL = 3
VOUT
VIN
D
G
S
VIN
50
td(on)
td(off)
tr
tf
10 V
0 V
VIN
VOUT
10%
90%
10%
ID VDS
ID VGS
RDS(on) VGS
RDS(on) ID
Ciss , Crss , Coss VDS
101
IDP = 72 A
10
1
102
101
1
10
102
MTMF8231_
ID-VDS
Drain-source voltage VDS (V)
Drain
current
I D
(A
)
t = 10 ms
t = 100 ms
t = 1 ms
0 0.5 1.0
2.5 3.0
2.0
1.5
5.0
3.5 4.0 4.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
MTMF8231_ ID-VGS
Drain
current
I D
(A)
Gate-source voltage VGS (V)
VDS = 10 V
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
MTMF8231_
RDS(on)-VGS
Drain-source
ON
resistance
R
DS(on)
(m
)
Gate-source voltage VGS (V)
ID = 5 A
1
10
100
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
MTMF8231_
RDS(on)-ID
Drain-source
ON
resistance
R
DS(on)
(m
)
Drain current ID (A)
VGS = 4.5 V
10 V
5
10
15
0
20
25
30
0
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
8000
MTMF8231_
CX-VDS
Drain-source voltage VDS (V)
Coss
Crss
Ciss
Short-circuit
input
capacitance
(Common
source
)
C
iss
,
Short-circuit
output
capacitance
(Common
source
)
C
oss
,
Reverse
transfer
capacitance
(Common
source)
C
rss
(pF)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTMF8233 | 20000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MTP10N06 | 10 A, 60 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTP10N05 | 10 A, 50 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTP10N10 | 10 A, 100 V, 0.33 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTP10N35 | 10 A, 350 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTMF82310BBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18A S08 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| MTMF82330BBF | 制造商:Panasonic Industrial Devices 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A SO8-F1 制造商:Panasonic Industrial Devices 功能描述:MOSFET, N-CH, 30V, 20A, SO8-F1 |
| MTMFOWOO | 制造商:TE Connectivity 功能描述:TIMER MULTIFUNCTION MODULE 制造商:TE Connectivity 功能描述:TIMER, MULTIFUNCTION MODULE |
| MTMFOWOO | 制造商:TE Connectivity 功能描述:TIMER MULTIFUNCTION MODULE |
| MTMG0024 | 功能描述:LED MODULE GREEN 24VAC/DC RoHS:是 类别:继电器 >> 配件 系列:MT, SCHRACK 其它有关文件:Declaration of Conformity 标准包装:1 系列:- 附件类型:散热片 技术规格:3.5° C/W 适用于相关产品:Multiple 系列 颜色:- |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。