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参数资料
| 型号： | MTP23P06V |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 23A TO-220AB |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 23A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 11.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1620pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 90W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | MTP23P06VOS |
MTP23P06V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain?Source Breakdown Voltage
V (BR)DSS
(V GS = 0 Vdc, I D = 0.25 mAdc)
Temperature Coefficient (Positive)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V DS = 60 Vdc, V GS = 0 Vdc)
(V DS = 60 Vdc, V GS = 0 Vdc, T J = 150 ° C)
I DSS
60
?
?
?
?
60.5
?
?
?
?
10
100
Vdc
mV/ ° C
m Adc
Gate?Body Leakage Current (V GS = ± 15 Vdc, V DS = 0 Vdc)
I GSS
?
?
100
nAdc
ON CHARACTERISTICS (Note 1)
Gate Threshold Voltage
(V DS = V GS , I D = 250 m Adc)
Threshold Temperature Coefficient (Negative)
Static Drain?Source On?Resistance (V GS = 10 Vdc, I D = 11.5 Adc)
V GS(th)
R DS(on)
2.0
?
?
2.8
5.3
0.093
4.0
?
0.12
Vdc
mV/ ° C
W
Drain?Source On?Voltage
V DS(on)
Vdc
(V GS = 10 Vdc, I D = 23 Adc)
(V GS = 10 Vdc, I D = 11.5 Adc, T J = 150 ° C)
Forward Transconductance
(V DS = 10.9 Vdc, I D = 11.5 Adc)
g FS
?
?
5.0
?
?
11.5
3.3
3.2
?
Mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C iss
?
1160
1620
pF
Output Capacitance
Transfer Capacitance
(V DS = 25 Vdc, V GS = 0 Vdc, f = 1.0 MHz)
C oss
C rss
?
?
380
105
530
210
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 2)
Turn?On Delay Time
t d(on)
?
13.8
30
ns
Rise Time
Turn?Off Delay Time
Fall Time
(V DD = 30 Vdc, I D = 23 Adc,
V GS = 10 Vdc, R G = 9.1 W )
t r
t d(off)
t f
?
?
?
98.3
41
62
200
80
120
Gate Charge (See Figure 8)
(V DS = 48 Vdc, I D = 23 Adc, V GS = 10 Vdc)
Q T
Q 1
Q 2
Q 3
?
?
?
?
38
7.0
18
14
50
?
?
?
nC
SOURCE?DRAIN DIODE CHARACTERISTICS
Forward On?Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Stored Charge
(I S = 23 Adc, V GS = 0 Vdc)
(I S = 23 Adc, V GS = 0 Vdc, T J = 150 ° C)
(I S = 23 Adc, V GS = 0 Vdc,
dI S /dt = 100 A/ m s)
V SD
t rr
t a
t b
Q RR
?
?
?
?
?
?
2.2
1.8
142.2
100.5
41.7
0.804
3.5
?
?
?
?
?
Vdc
ns
m C
INTERNAL PACKAGE INDUCTANCE
Internal Drain Inductance
L D
nH
(Measured from contact screw on tab to center of die)
(Measured from the drain lead 0.25 ″ from package to center of die)
?
3.5
4.5
?
Internal Source Inductance
(Measured from the source lead 0.25 ″ from package to source bond pad)
L S
?
7.5
?
nH
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2%.
2. Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
http://onsemi.com
2
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参数描述 |
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