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参数资料
| 型号： | MTP23P06V |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 23A TO-220AB |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 23A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 11.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1620pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 90W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | MTP23P06VOS |
MTP23P06V
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
50
40
T J = 25 ° C
V GS = 10V
9V
8V
40
35
30
V DS ≥ 10 V
T J = ?55 ° C
25 ° C
30
7V
25
100 ° C
20
20
10
6V
5V
4V
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
0
2
3
4
5
6
7
8
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.16
0.14
V GS = 10 V
T J = 100 ° C
0.12
0.115
T J = 25 ° C
0.12
0.11
0.1
25 ° C
0.105
V GS = 10 V
0.1
0.08
? 55 ° C
0.095
0.06
0.04
0.09
0.085
15 V
0.02
0
5
10
15 20 25
30
35
40
45
0.08
0
5
10
15 20
25
30
35
40
45
50
1.8
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On?Resistance versus Drain Current
and Temperature
100
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
V GS = 10 V
I D = 11.5 A
10
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
0
?50
?25
0 25 50 75 100
125
150
175
1
0
10 20 30 40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?To?Source Leakage
Current versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PVZ2A332C04R00 | TRIMMER 3.3K OHM 0.1W SMD |
| PVZ2A332C04B00 | TRIMMER 3.3K OHM 0.1W SMD |
| FAN7083M_GF085 | IC GATE DVR HI SIDE RESET 8-SOIC |
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| PVZ2A224C04R00 | TRIMMER 220K OHM 0.1W SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTP23P06VG | 功能描述:MOSFET 60V 23A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTP24K11 | 功能描述:插线板 1DC PANEL 11 UNWIR RoHS:否 制造商:Switchcraft 产品类型:Bantam (TT) 正规化: 高度/机架数量: 深度: 端接类型: 位置/触点数量:48 |
| MTP24K11B | 功能描述:插线板 IDC PANEL 11 WIRED RoHS:否 制造商:Switchcraft 产品类型:Bantam (TT) 正规化: 高度/机架数量: 深度: 端接类型: 位置/触点数量:48 |
| MTP24K7 | 功能描述:插线板 7 X 6 UNWRD IDC WA RoHS:否 制造商:Switchcraft 产品类型:Bantam (TT) 正规化: 高度/机架数量: 深度: 端接类型: 位置/触点数量:48 |
| MTP2603G6 | 制造商:CYSTEKEC 制造商全称:Cystech Electonics Corp. 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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