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参数资料
| 型号： | MTP3055V |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 12A TO-220AB |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 30/Jun/2004 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 48W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | MTP3055VOS |
MTP3055V
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
24
20
16
T J = 25 ° C
V GS = 10 V
9V
8V
7V
24
20
16
V DS ≥ 10 V
T J = ? 55 ° C
25 ° C
100 ° C
12
8
4
6V
5V
4V
12
8
4
0
0
1
2
3
4
5
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.30
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.15
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.25
V GS = 10 V
0.14
T J = 25 ° C
0.20
0.15
T J = 100 ° C
25 ° C
0.13
0.12
0.11
V GS = 10 V
0.10
? 55 ° C
0.10
0.05
0.09
15 V
0
0
4
8
12
16
20
24
0.08
0
4
8
12 16
20
24
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.6
1.4
V GS = 10 V
I D = 6 A
100
V GS = 0 V
1.2
1.0
0.8
10
T J = 125 ° C
0.6
? 50
? 25
0 25 50 75 100 125
150
175
1
0
10
20
30 40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? To ? Source Leakage
Current versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTP36N06V | MOSFET N-CH 60V 32A TO-220AB |
| MTP50P03HDL | MOSFET P-CH 30V 50A TO-220AB |
| MTPD1346-010 | PIN DIODE 1300NM FLAT 2.8MM TO46 |
| MTPD1346-030 | PIN DIODE 1300NM FLAT 2.8MM TO46 |
| MTPD1346-100 | PIN DIODE 1300NM FLAT 2.8MM TO46 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTP3055V | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| MTP3055V_L86Z | 功能描述:MOSFET TO-220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTP3055VL | 功能描述:MOSFET 60V Single N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTP3055VL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET 60V 12A ((NW)) 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 60V, 12A, TO-220 |
| MTP3055VL_Q | 功能描述:MOSFET 60V Single N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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