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参数资料
| 型号： | MTP3055V |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 12A TO-220AB |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 30/Jun/2004 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 48W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | MTP3055VOS |
MTP3055V
SAFE OPERATING AREA
100
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
75
I D = 12 A
10
T C = 25 ° C
100 μ s
1 ms
10 μ s
50
1.0
10 ms
dc
25
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
0.1
0.1
PACKAGE LIMIT
1.0
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 13. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P (pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R θ JC (t) = r(t) R θ JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T C = P (pk) R θ JC (t)
0.01
1.0E?05
1.0E?04
1.0E?03
1.0E?02
t, TIME (s)
1.0E?01
1.0E+00
1.0E+01
Figure 14. Thermal Response
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 15. Diode Reverse Recovery Waveform
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTP36N06V | MOSFET N-CH 60V 32A TO-220AB |
| MTP50P03HDL | MOSFET P-CH 30V 50A TO-220AB |
| MTPD1346-010 | PIN DIODE 1300NM FLAT 2.8MM TO46 |
| MTPD1346-030 | PIN DIODE 1300NM FLAT 2.8MM TO46 |
| MTPD1346-100 | PIN DIODE 1300NM FLAT 2.8MM TO46 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTP3055V | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| MTP3055V_L86Z | 功能描述:MOSFET TO-220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTP3055VL | 功能描述:MOSFET 60V Single N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTP3055VL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET 60V 12A ((NW)) 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 60V, 12A, TO-220 |
| MTP3055VL_Q | 功能描述:MOSFET 60V Single N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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