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参数资料
| 型号： | MTP35N06E |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 35 A, 60 V, 0.055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MTP35N06E |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTP3N50E | 3 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTP4N50E | 4 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTP60N10E7L | 60 A, 100 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTP71040L | 60 A, 100 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTP9N25E | 9 A, 250 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTP35W | 制造商:NELLSEMI 制造商全称:Nell Semiconductor Co., Ltd 功能描述:Glass Passivated Triple-Phase Bridge Rectifier, 35A |
| MTP36N06 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 32 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.04 OHM |
| MTP36N06V | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 32A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| MTP3H-E10 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| MTP3H-E10C | 制造商:Panduit Corp 功能描述:CABLE TIE MOUNT, NYLON 6.6; Mounting Hole Dia:5.21mm; Mount Fixing Type:Screw; Mount Material:Nylon 6.6; Mount Color:Natural; Accessory Type:Cable Tie Mount; Body Material:Nylon 6.6; Color:Natural; Features:3 Bundle Retaining Areas ;RoHS Compliant: Yes |
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