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参数资料
| 型号： | MTP6N55 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 6 A, 550 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 162K |
| 代理商： | MTP6N55 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTP8N10E | 8 A, 100 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTP8N15L | 8 A, 150 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTV10N100E | 10 A, 1000 V, 1.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTV10N100E-RL | 10 A, 1000 V, 1.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTW6N100EG | 6 A, 1000 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTP6N60 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| MTP6N60E | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 1.2 OHMS |
| MTP6P20E | 功能描述:MOSFET P-CH 200V 6A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| MTP75 | 制造商:NELLSEMI 制造商全称:Nell Semiconductor Co., Ltd 功能描述:Glass Passivated Three-Phase Bridge Rectifier, 75A |
| MTP75A | 制造商:NELLSEMI 制造商全称:Nell Semiconductor Co., Ltd 功能描述:Three-Phase Bridge Rectifier, 75A |
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