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参数资料
| 型号： | MTU18N50E |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 18 A, 500 V, 0.31 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 160K |
| 代理商： | MTU18N50E |
MTU18N50E
6
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
SAFE OPERATING AREA
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
Figure 13. Thermal Response
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
100
ms
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (°C)
E
AS
,SINGLE
PULSE
DRAIN–T
O–SOURCE
0.1
1.0
1000
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
A
V
ALANCHE
ENERGY
(mJ)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
25
50
75
100
125
10
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25°C
ID = 18 A
100
150
t, TIME (seconds)
r(t)
,NORMALIZED
EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
R
θJC(t) = r(t) RθJC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
100
0.1
0
1750
1000
10
1.0
750
500
250
0.01
0.1
1.0
1.0E–05
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
1.0E–01
1.0E+00
1.0E+01
1.0 ms
10 ms
dc
10
ms
D = 0.5
0.2
0.1
SINGLE PULSE
0.05
0.02
0.01
1250
1500
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