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参数资料
| 型号： | MTY100N10E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 100A TO-264 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 30/Jun/2004 |
| 标准包装： | 25 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 378nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10640pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | MTY100N10EOS |
MTY100N10E
SAFE OPERATING AREA
1000
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
250
I D = 100 A
100
T C = 25 ° C
10 μ s
200
150
100 μ s
10
1 ms
10 ms
100
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
dc
50
1
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
1
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
D = 0.5
0.2
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
0.1
0.1
0.05
P (pk)
R θ JC (t) = r(t) R θ JC
0.01
SINGLE PULSE
0.02
t 1
t 2
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T C = P (pk) R θ JC (t)
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
0.01
1.0E?05
1.0E?04
1.0E?03
1.0E?02
1.0E?01
1.0E+00
1.0E+01
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
http://onsemi.com
6
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTY10N100E | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 10 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.3 OHM |
| MTY110A | 制造商:LIUJING 制造商全称:LIUJING 功能描述:可控硅、晶闸管 |
| MTY14N100 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 14 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 0.80 OHM |
| MTY14N100E | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MTY160A | 制造商:LIUJING 制造商全称:LIUJING 功能描述:可控硅、晶闸管 |
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