参数资料
型号: MUBW30-06A7
厂商: IXYS
文件页数: 1/8页
文件大小: 0K
描述: MODULE IGBT CBI E2
标准包装: 6
IGBT 类型: NPT
配置: 三相反相器,带制动器
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 600V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.3V @ 15V,30A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 50A
电流 - 集电极截止(最大): 600µA
Vce 时的输入电容 (Cies): 1.6nF @ 25V
功率 - 最大: 180W
输入: 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: E2
供应商设备封装: E2
MUBW 30-06 A7
Converter - Brake - Inverter Module (CBI2)
21
22
D11
1
D12
D13
2
D14
D15
3
D16
7
T7
D7
T1
16
15
T2
D1
6
D2
T3
18
17
T4
D3
5
D4
T5
20
19
T6
D5
4
D6
23
14
11
10
12
13
24
8
NTC
9
Three Phase
Rectifier
V RRM = 1600V
Brake Chopper
V CES = 600 V
Three Phase
Inverter
V CES = 600 V
I DAVM = 36 A
I C25
= 26 A
I C25
= 50A
I FSM
= 300 A
V CE(sat) = 1.9 V
V CE(sat) = 1.9 V
Input Rectifier Bridge D11 - D16
Application: AC motor drives with
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
q
q
Input from single or three phase grid
Three phase synchronous or
V RRM
1600
V
q
asynchronous motor
electric braking operation
I FAV
I DAVM
T C = 80 ° C; sine 180 °
T C = 80 ° C; rectangular; d = 1/3
25
24
A
A
Features
I FSM
P tot
T VJ = 25 ° C; t = 10 ms; sine 50 Hz
T C = 25 ° C
300
100
A
W
q
High level of integration - only one power
semiconductor module required for the
whole drive
q
q
Fast rectifier diodes for enhanced EMC
behaviour
NPT IGBT technology with low
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
q
saturation voltage, low switching
losses, high RBSOA and short circuit
ruggedness
Epitaxial free wheeling diodes with
V F
I R
I F = 30 A; T VJ = 25 ° C
T VJ = 125 ° C
V R = V RRM ; T VJ = 25 ° C
T VJ = 125 ° C
1.5
1.4
1.2
1.7
0.15
V
V
mA
mA
q
q
Hiperfast and soft reverse recovery
Industry standard package with insulated
copper base plate and soldering pins for
PCB mounting
Temperature sense included
t rr
R thJC
V R = 100 V; I F = 15 A; di/dt = -15 A/μs
(per diode)
1
μs
1.3 K/W
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2001 IXYS All rights reserved
1-8
相关PDF资料
PDF描述
MUBW30-12A6 MODULE IGBT CBI E1
MUBW35-06A6 MODULE IGBT CBI E1
MUBW35-12A7 MODULE IGBT CBI E2
MUBW35-12A8 MODULE IGBT CBI E3
MUBW40-12T7 MODULE IGBT CBI E2
相关代理商/技术参数
参数描述
MUBW30-12A6 功能描述:MODULE IGBT CBI E1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
MUBW30-12A6K 功能描述:分立半导体模块 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MUBW30-12E6K 功能描述:分立半导体模块 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MUBW35-06A6 功能描述:MODULE IGBT CBI E1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
MUBW35-06A6K 功能描述:分立半导体模块 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: