参数资料
型号: MUBW30-06A7
厂商: IXYS
文件页数: 7/8页
文件大小: 0K
描述: MODULE IGBT CBI E2
标准包装: 6
IGBT 类型: NPT
配置: 三相反相器,带制动器
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 600V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.3V @ 15V,30A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 50A
电流 - 集电极截止(最大): 600µA
Vce 时的输入电容 (Cies): 1.6nF @ 25V
功率 - 最大: 180W
输入: 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: E2
供应商设备封装: E2
MUBW 30-06 A7
Output Inverter T1 - T6 / D1 - D6
8
V CE = 300V
80
2.0
E off
400
R G = 33 ?
E on
mJ V GE = ±15V
6
T VJ = 125 ° C
J r
J d(on)
ns
60
t
E off
mJ
1.5
V CE = 300V
ns
300
t
4
E on
40
V GE = ±15V
1.0 R G = 33 ?
J d(off)
200
T VJ = 125 ° C
2
20
0.5
100
J f
0
0
0.0
0
0
20
40
60 A
0
20
40
60 A
I C
Fig. 13 Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
I C
Fig. 14 Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
4
V CE = 300V
mJ V GE = ±15V
J d(on)
80
ns
2.0
V CE = 300V
mJ V GE = ±15V
J d(off)
400
ns
E on
I = 30A
3 C
T VJ = 125 ° C
J r
60
t
E off
I C
1.5 T VJ
= 30A
= 125 ° C
300
t
2
E on
1.0
E off
200
40
1
0.5
J f
100
0
0
10
20
30
40
50 60
20
70 ? 80
0.0
0
10
20
30
40
50 60
0
70 ? 80
80
R G
Fig. 15 Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
10
R G
Fig.16 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
A
K/W
diode
I CM
60
Z thJC
1
IGBT
0.1
40
0.01
20
R G = 33 ?
0.001
single pulse
T VJ = 125 ° C
0
0.0001
MUBW3006A7
0
100
200
300
400
500
600
700 V
0.00001 0.0001 0.001
0.01
0.1
1
s 10
V CE
Fig. 17 Reverse biased safe operating area
RBSOA
? 2001 IXYS All rights reserved
t
Fig. 18 Typ. transient thermal impedance
7-8
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