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参数资料
| 型号： | MUBW35-12A8 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE IGBT CBI E3 |
| 标准包装： | 5 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器，带制动器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 3.1V @ 15V，35A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1.1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 1.65nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 225W |
| 输入： | 三相桥式整流器 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E3 |
| 供应商设备封装： | E3 |
MUBW 35-12 A8
Brake Chopper T7 / D7
50
V GE = 15 V
50
A
I C
40
A
30
T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
I F
40
30
20
10
0
20
10
0
T VJ = 125°C
T VJ = 25°C
0
1
2
3
4
V
5
0
1
2
3
4
V
5
V CE
Fig. 19 Typ. output characteristics
V F
Fig. 20 Typ. forward characteristics
of free wheeling diode
E off
4
mJ
3
V CE = 600 V
V GE = ±15 V
R G = 82 Ω
T VJ = 125°C
800
ns
600 t
E off
3.0
mJ
V CE = 600 V
V GE = ±15 V
I C = 20 A
T VJ = 125°C
t d(off)
1000
ns
750 t
t d(off)
2
400
2.5
500
E off
1
E off
200
250
0
0
5
10
15
20
25
t f
0
30 A 35
2.0
0
20
40
60
80
100
t f
0
120 Ω 140
I C
Fig. 21 Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
R G
Fig. 22 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
Temperature Sensor NTC
10
K/W
1
diode
Z thJC
0.1
0.01
0.001
0.0001
single pulse
IGBT
R
10000
Ω
1000
100
0.001
0.01
0.1
1
s 10
0
25
50
75
100
125 C 150
t
Fig. 23 Typ. transient thermal impedance
? 2007 IXYS All rights reserved
T
Fig. 24 Typ. thermistorresistance
versus temperature
20070912a
8-8
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