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参数资料
| 型号： | MUBW50-12A8 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE IGBT CBI E3 |
| 标准包装： | 5 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器，带制动器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.6V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 85A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 3.7mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 3.3nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 350W |
| 输入： | 三相桥式整流器 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E3 |
| 供应商设备封装： | E3 |
MUBW 50-12 A8
Converter - Brake - Inverter Module (CBI3)
21
22
D11
1
D13
2
D15
3
7
D7
T1
16
15
D1
6
T3
18
17
D3
5
T5
20
19
D5
4
D12
D14
D16
T7
T2
D2
T4
D4
T6
D6
E72873
14
11
12
13
See outline drawing for pin arrangement
23
24
10
Preliminary data
NTC
8
9
Three Phase
Rectifier
V RRM = 1600 V
Brake Chopper
V CES = 1200 V
Three Phase
Inverter
V CES = 1200 V
I FAVM = 70 A
I C25
= 50 A
I C25
= 85 A
I FSM
= 700 A
V CE(sat) = 2.5 V
V CE(sat) = 2.2 V
Input Rectifier D11 - D16
Application: AC motor drives with
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
€ € Input from single or three phase grid
€ € Three phase synchronous or
V RRM
1600
V
asynchronous motor
€ € electric braking operation
I FAV
I DAVM
I FSM
P tot
T C = 80°C; sine 180°
T C = 80°C; rectangular; d = 1/3; bridge
T VJ = 25°C; t = 10 ms; sine 50 Hz
T C = 25°C
50
140
700
135
A
A
A
W
Features
€ € High level of integration - only one power
semiconductor module required for the
whole drive
€ € NPT IGBT technology with low
saturation voltage, low switching
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
losses, high RBSOA and short circuit
ruggedness
€ € Epitaxial free wheeling diodes with
Hiperfast and soft reverse recovery
V F
I R
I F = 50 A; T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
V R = V RRM ; T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
1.1
1.1
0.8
1.3
0.05
V
V
mA
mA
€ € Industry standard package with insulated
copper base plate and soldering pins for
PCB mounting
€ € Temperature sense included
R thJC
(per diode)
0.94 K/W
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2007 IXYS All rights reserved
20070912a
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MUBW50-12T8 | 功能描述:分立半导体模块 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MUBW50-17T8 | 功能描述:分立半导体模块 50 Amps 1700V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MUBW6-06A6 | 功能描述:MODULE IGBT CBI E1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| MUBW75-06A8 | 功能描述:分立半导体模块 75 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
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