参数资料
型号: MUBW75-17T8
厂商: IXYS
文件页数: 7/8页
文件大小: 0K
描述: MODULE IGBT CBI E3
标准包装: 5
IGBT 类型: 沟道
配置: 三相反相器,带制动器
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1700V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.4V @ 15V,75A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 113A
电流 - 集电极截止(最大): 800µA
Vce 时的输入电容 (Cies): 6.6nF @ 25V
功率 - 最大: 450W
输入: 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: E3
供应商设备封装: E3
MUBW 75-17 T8
Output Inverter T1 - T6 / D1 - D6
60
40
E
[mJ]
50
40
30
20
V CE = 900 V
V GE = ±15 V
R G = 18 Ω
T VJ = 125°C
E on
E off
E rec
E
[mJ]
30
20
V CE = 900 V
V GE = ±15 V
I C ,I F = 75 A
T VJ = 125°C
E on
E off
E rec
10
10
0
0
30
60 90
I C , I F [A]
120
150
0
0
10
20
30
R G [ Ω ]
40
50
40
FIG. 13  TYP. TURN ON ENERGY & SWITCHING TIMES  
  VERSUS COLLECTOR CURRENT
0.5
FIG. 14  TYP. TURN OFF ENERGY AND SWITCHING TIMES  
  VERSUS COLLECTOR CURRENT
Q rr
[μC]
30
20
V CE = 900 V
V GE = ±15 V
R G = 18 Ω
T VJ = 125°C
0.4
Z thJC 0.3
[K/W] 0.2
single pulse
diode
IGBT
10
0.1
0
0
30
60
I F [A]
90
120
150
0.0
1
10
100
t [ms]
1000
10000
FIG. 15   TYPICAL TURN-OFF CHARACTERISTICS
FIG. 16  TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
 
 OF FREE WHEELING DIODE
Temperature Sensor NTC
  JUNCTION TO CASE
IGBT
Diode
10000
1
2
R i
0.0175
0.0860
T i
0.0015
0.0276
R i
0.0265
0.1443
T i
0.0020
0.0318
R
[ Ω ]
1000
3
4
0.0920
0.0832
0.1311
0.6329
0.1655
0.0636
0.1618
0.8218
R
C
R
C
R
C
100
0
25
50
75
100
125
150
T [°C]
FIG. 17  TYP. TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2009 IXYS All rights reserved
20090826a
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